美的电磁炉显示e0是什么意思

压电陶瓷致动器外电路是一个容性负载，必须提供供容性负载快速放电的回路
，外电路还有迟滞和蠕变现象。而驱动电源一般可分为电荷控制型和电压控制型。电荷控制型驱动电源基于电容器充电的原理（对外加电压而言，每个压电陶瓷片相当于一只平行板电容器），可以改善压电陶瓷的迟滞和蠕变。电压控制型驱动电源主要有以下两种形式：一种是基于DC/DC变换器原理的开关式驱动电源，其体积小、效率高，但电源输出纹波较大，频响范围也较窄；另一种是直流放大电源，频响范围宽。
下面我发一份关于压电陶瓷驱动电源的文章，供你参考！
近年来国内对静态压电陶瓷驱动电源的研制取得了一定的进展，但大部分压电陶瓷驱动电源都是由分立性器件组成，结构较复杂，而且容易产生自激振荡，对电源的稳定性会产生影响。而采用高压运放的驱动电源，分辨率能达到mV级，输出纹波较小，不仅提高了电路集成度，而且可靠性也得到加强，因此可用于驱动压电陶瓷致动器。
压电陶瓷致动器驱动电源
1、压电陶瓷致动器对驱动电源的要求
压电陶瓷致动器的驱动电源应具有如下特点：
（1）压电陶瓷致动器的位移输出对外加驱动控制电压的响应速度，主要取决于驱动电源驱动电流的大小，因此驱动电源应具有较大的驱动电流，一般不应小于150mA；
（2）驱动电源的输出控制电压连续可调，对国产压电陶瓷致动器PTBS200系列而言，要求驱动电源输出电压为直流0～200V，连续可调；
（3）为适应高频响应的要求，驱动电源中应具有供容性负载快速放电的回路；
（4）由于压电陶瓷致动器主要应用于微纳米技术领域，所以驱动电源应具有良好的稳定性，其输出纹波电压应控制在很小的范围内；
（5）为实现位移的自动控制，驱动电源最好采用计算机控制。
压电陶瓷致动器外电路是一个容性负载，并有迟滞和蠕变现象。而驱动电源一般可分为电荷控制型和电压控制型。电荷控制型驱动电源基于电容器充电的原理（对外加电压而言，每个压电陶瓷片相当于一只平行板电容器），可以改善压电陶瓷的迟滞和蠕变。电压控制型驱动电源主要有以下两种形式：一种是基于DC/DC变换器原理的开关式驱动电源，其体积小、效率高，但电源输出纹波较大，频响范围也较窄；另一种是直流放大电源，频响范围宽，从发展趋势来看，其应用前景广阔。
2、驱动电源的设计
根据压电陶瓷致动器对其驱动电源的要求，本设计中的电源采用直流放大式电路。整个电源电路主要由计算机与数据采集卡、运算放大电路和高压电路等几部分组成。高压电路提供220V的直流电压，计算机通过LabView85控制数据采集卡产生一定的输出波形，得到0～5V的连续可调控制电压；放大电路实现电压的线性放大和功率放大，输出0～200V连续可调的直流电压，并决定着电源输出电压的分辨率和稳定性，是整个电源的关键。
① 高压电路
由于直流电压的稳定性直接影响驱动电源的稳定性，采用220V输出电压的高压电路，主要部分是将市电交流220V变为+220V直流电压的全桥整流供电电路。
② 波形发生电路
良好的输入波形是电源的关键之一，关系到压电陶瓷的伸缩变化。输入波形信号的频率、幅值可变，信号波形好，畸变小，不仅可以消除压电陶瓷本身的迟滞特性和蠕变特性，也能获得更广泛的应用。由于电压精度要求比较高，使用NI公司的具有16位模拟输入输出的多功能数据采集卡6221将数字量转换成模拟量，输出电压为0～5V，电压分辨率达到5/216，约等于0076mV。采用LabView 85编程可以实现任意波形及缓变直流等输出，灵活性强，能满足各种需要。
③高压放大电路
采用美国APEX公司生产的高压运算放大器PA96和高精度运算放大器OP07串联组成串联负反馈放大电路。PA96是一种高压，大带宽的MOSFET运算放大器，输出电流达到15A，输出电压接近300V，安全操作区（SOA）没有二次击穿的限制，通过选择合适的限流电阻，可观察到任何负载下的安全操作曲线。PA96的最大失调电压为5mV，对要求分辨率为10mV以下的压电陶瓷驱动电源，其输入特性不能满足要求。在该电源的线性放大部分采用了PA96和OP07串联的复合放大器，从而使输入失调电压由前置放大器OP07控制。由于复合放大器的输入电压为0～5V，输出电压要求为0～200V，因此复合放大器的放大倍数要求为40。但增益过大会影响运放稳定性，因此选定PA96的闭环放大倍数为31，PA96和OP07串联后共同提供的放大倍数为40。根据放大倍数的分配要求可得：
R1=3kΩ，R2=117Ω，R3=180Ω，R4=6kΩ
由于构成负反馈电路，输出电阻非常小（mΩ级），因此具有很强的带负载能力。R5为限流电阻，其值由公式IL=068V/R5=125mA可得，这里为54Ω。
3、相位补偿与输出保护
自激现象是影响电源稳定性的一个主要因素。当集成运放的开环增益为一定值时，由于相移过大，电路会产生振荡现象，因此应对集成运放进行相位补偿。通常在输入端和输出端外接补偿元件，进行相位补偿。相位补偿不仅能提高运放的稳定性，还能扩展带宽。电路中PA96一级的闭环放大倍数为31，由此计算出其增益为30，根据PA96的数据资料，确定相位补偿电容值CC=10pF，闭环带宽大约为1MHz。OP07输入端的二极管D1、D2提供差模和共模保护，防止瞬态过压，输出二极管D3、D4可对瞬态过压进行保护，防止瞬态过压损坏OP07的输出。PA96放大器输入端的二极管D5、D6、D7、D8把放大器正负输入端的电压钳位在规定范围内，对运放起保护作用。

‍

一

电容的作用

作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用，下面分类详述之。

1）旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2）去藕

去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。

如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。

旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取 01F、001F 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是 10F 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3）滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过 1F 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频 率高后反而阻抗会增大。

有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中，大电容（1000F）滤低频，小电容（20pF）滤高频。

曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。

它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4）储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为 40～450VDC、电容值在 220～150 000F 之间的铝电解电容器是较为常用的。

根不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过 10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：

1）耦合

举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号 产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件。

如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。

2）振荡/同步

包括 RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。

3）时间常数

这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。

而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：

i = (V / R)e- (t / CR)

二

电容的选择

通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？EDA365电子论坛认为，应基于以下几点考虑：

1）静电容量

2）额定耐压

3）容值误差

4）直流偏压下的电容变化量

5）噪声等级

6）电容的类型

7）电容的规格

那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，几乎每个器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。

其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。

下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类，介电常数直接影响电路的稳定性。

NP0 or CH （K < 150）：

电气性能最稳定，基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于 K 值较小，所以在 0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容。

如 0603 一般最大的 10nF 以下。

X7R or YB （2000 < K < 4000）：

电气性能较稳定，在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著（C < ±10%）。

适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。

Y5V or YF（K > 15000）：

容量稳定性较 X7R 差（C < +20% ～ -8 0%），容量损耗对温度、电压等测试条件较敏感，但由于其 K 值较大，所以适用于一些容值要求较高的场合。

三

电容的分类

电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类：

1）铝电解电容

电容容量范围为 01F ～ 22000F，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选，广泛应用于电源滤波、解藕等场合。

2）薄膜电容

电容容量范围为 01pF ～ 10F，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是 X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选。

3）钽电容

电容容量范围为 22F ～ 560F，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。

4）陶瓷电容

电容容量范围为 05pF ～ 100F，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。

5）超级电容

电容容量范围为 0022F ～ 70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。

主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。

四

多层陶瓷电容

对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展最快。

多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。

例如，手机要求更高的传输速率和更高的性能；基带处理 器要求高速度、低电压；LCD 模块要求低厚度（05mm）、大容量电容。

而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求：首先是耐高温，放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足 150℃ 的工作温度；其次是在电池电路上需要短路失 效保护设计。

也就是说，小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。

陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数，因此需要从材料方面，降低介电常数对电压的依赖，优化直流偏置电压特性。

应用中较为常见的是 X7R（X5R）类多层陶瓷电容， 它的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器主要性能指标是等效串联电阻（ESR），在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。

另一类多层陶瓷电容是C0G类，它的容量多在 1000pF 以下，该类电容器主要性能指标是损耗角正切值 tgδ(DF)。

传统的贵金属电极（NME）的 C0G 产品 DF 值范围是（20 ～ 80）× 10-4，而技术创新型贱金属电极（BME）的C0G产品DF值范围为 (10 ～ 25)×10-4，约是前者的31 ～ 50%。

该类产品在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路，如振荡/同步器、定时器电路等。

五

钽电容替代电解电容的误区

通常的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电能力（通常用 ε 表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。

因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。

但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了，目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极，而在于电解质，也就是阴极。

因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容，其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同，性能可以差距很大，总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。

还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好，主要是由于钽加上二氧化锰阴极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为二氧化锰， 那么它的性能其实也能提升不少。

可以肯定，ESR 是衡量一个电容特性的主要参数之一。但是，选择电容，应避免 ESR 越低越好，品质越高越好等误区。衡量一个产品，一定要全方位、多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大。

普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质，阳极是钝化铝，阴极是纯铝，所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题。

一般来说，钽电解电容的 ESR 要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多，高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路（比如中心为 50Hz 的带通滤波器）的话，要注意容量变化后对滤波器性能的影响。

六

旁路电容的应用问题

嵌入式设计中，要求 MCU 从耗电量很大的处理密集型工作模式进入耗电量很少的空闲/休眠模式。这些转换很容易引起线路损耗的急剧增加，增加的速率很高，达到 20A/ms 甚至更快。

通常采用旁路电容来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化，以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

应该明白，大容量和小容量的旁路电容都可能是必需的，有的甚至是多个陶瓷电容和钽电容。这样的组合能够解决上述负载电流或许为阶梯变化所带来的问题，而且还能提供足够的去耦以抑制电压和电流毛刺。

在负载变化非常剧烈的情况下，则需要三个或更多不同容量的电容，以保证在稳压器稳压前提供足够的电流。快速的瞬态过程由高频小容量电容来抑制，中速的瞬态过程由低频大容量来抑制，剩下则交给稳压器完成了。

还应记住一点，稳压器也要求电容尽量靠近电压输出端。

七

电容的等效串联电阻 ESR

普遍的观点是：一个等效串联电阻（ESR）很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。

但是，有时这样的选择容易引起稳压器（特别是线性稳压器 LDO）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住，稳压器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况 它都会出现。

由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢，输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用，因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换，同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。

通常，大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值，以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的 Dasheet 规定之内。

高频转换中，小容量电容在 001F 到 01F 量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的 ESR。

另外，在这些容值下，它们的体积和 BOM 成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分，则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。电压下降过程可能持续数毫秒，时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。

用 ESR 大的电容并联比用 ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。然而，这需要你在 PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。

八

电解电容的电参数

这里的电解电容器主要指铝电解电容器，其基本的电参数包括下列五点：

1）电容值

电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。

在标准 JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz，最大交流电压为 05Vrms，DC bias 电压为 15 ～ 20V 的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。

2）损耗角正切值 Tan δ

在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ， 这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。

显然，Tan δ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。

3）阻抗 Z

在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与 ESR 也有关系。

Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]

式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC

XL = ωL = 2πfL

电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值。

当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。

4）漏电流

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

5）纹波电流和纹波电压

在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是 ripple current，ripple voltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。它们和 ESR 之间的关系密切，可以用下面的式子表示：

Urms = Irms × R

式中，Vrms 表示纹波电压

Irms 表示纹波电流

R 表示电容的 ESR

由上可见，当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。

叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。

九

电容器参数的基本公式

1）容量（法拉）

英制：C = ( 0224 × K · A) / TD

公制：C = ( 00884 × K · A) / TD

2）电容器中存储的能量

1/2CV2

3）电容器的线性充电量

I = C (dV/dt)
Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]
XC= 1/(2πfC)
DF = tan δ （损耗角）
= ESR / XC
= (2πfC)(ESR)
Q = cotan δ = 1/ DF
ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC
Power Loss = (2πfCV2 ) (DF)
PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)
rms = 0707 × Vp
KVA = 2πfCV2 × 10-3
TC = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106
CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100
L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Y
n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn
两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)
CT = C1 + C2 + … + Cn
AR = % C / decade of time
K = 介电常数；
A = 面积；
TD = 绝缘层厚度；
V = 电压；
RS = 串联电阻；
f = 频率；
L = 电感感性系数；
δ = 损耗角；
Ф = 相位角；
L0 = 使用寿命；
Lt = 试验寿命；
Vt = 测试电压；
V0 = 工作电压；
Tt = 测试温度；
T0 = 工作温度；
X , Y = 电压与温度的效应指数。

4）电容的总阻抗（欧姆）

Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]

5）容性电抗（欧姆）

XC= 1/(2πfC)

6）相位角 Ф

理想电容器：超前当前电压 90

理想电感器：滞后当前电压 90

理想电阻器：与当前电压的相位相同

7）耗散系数 (%)
DF = tan δ （损耗角）
= ESR / XC
= (2πfC)(ESR)

8）品质因素
Q = cotan δ = 1/ DF

9）等效串联电阻 ESR（欧姆）
ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC

10）功率消耗
Power Loss = (2πfCV2 ) (DF)

11）功率因数
PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)

12）均方根
rms = 0707 × Vp

13）千伏安 KVA （千瓦）
KVA = 2πfCV2 × 10-3

14）电容器的温度系数
TC = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106

15）容量损耗(%)
CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100

16）陶瓷电容的可靠性
L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Y

17）串联时的容值
n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn
两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)

18）并联时的容值
CT = C1 + C2 + … + Cn

19）重复次数（Againg Rate）
AR = % C / decade of time

上述公式中的符号说明如下：

K = 介电常数；
A = 面积；
TD = 绝缘层厚度；
V = 电压；
RS = 串联电阻；
f = 频率；
L = 电感感性系数；
δ = 损耗角；
Ф = 相位角；
L0 = 使用寿命；
Lt = 试验寿命；
Vt = 测试电压；
V0 = 工作电压；
Tt = 测试温度；
T0 = 工作温度；
X , Y = 电压与温度的效应指数。

十

电源输入端的 X,Y 安全电容

在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰。

交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容，一般称之为 Y 电容。

这两个 Y 电容连接的位置比较关键，必须需要符合相关安全标准，以防引起电子设备漏电 或机壳带电，容易危及人身安全及生命，所以它们都属于安全电容，要求电容值不能偏大，而耐压必须较高。

一般地，工作在亚热带的机器，要求对地漏电电流不能超过 07mA；工作在温带机器，要求对地漏电电流不能超过 035mA。因此， Y 电容的总容量一般都不能超过 4700pF。

EDA365电子论坛特别提示：Y 电容为安全电容，必须取得安全检测机构的认证。Y 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 5000V 以上。因此，Y 电容不能随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。

在火线和零线抑制之间并联的电容，一般称之为 X 电容。由于这个电容连接的位置也比较关键，同样需要符合安全标准。

因此，X 电容同样也属于安全电容 之一。X 电容的容值允许比 Y 电容大，但必须在 X 电容的两端并联一个安全电阻，用于防止电源线拔插时，由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。

安全标准规定，当正在工作之中的机器电源线被拔掉时，在两秒钟内，电源线插头两端带电的电压(或对地电位)必须小于原来额定工作电压的 30%。

同理，X 电容也是安全电容，必须取得安全检测机构的认证。X 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 2000V 以上，使用的时候不要随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。

X 电容一般都选用纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容，这种电容体积一般都很大，但其允许瞬间充放电的电流也很大，而其内阻相应较小。

普通电容纹波电流的指标都很低，动态内阻较高。用普通电容代替 X 电容，除了耐压条件不能 满足以外，一般纹波电流指标也是难以满足要求的。

实际上，仅仅依赖于 Y 电容和 X 电容来完全滤除掉传导干扰信号是不太可能的。因为干扰信号的频谱非常宽，基本覆盖了几十 KHz 到几百 MHz，甚至上千 MHz 的频率范围。

通常，对低端干扰信号的滤除需要很大容量的滤波电容，但受到安全条件的限制，Y 电容和 X 电容的容量都不能用大；对高端干扰信号的滤除，大容量电容的滤波性能又极差，特别是聚脂薄膜电容的高频性能一般都比较差。

因为它是用卷绕工艺生产的，并且聚脂薄膜介质高频响应特性与陶瓷或云母相比相差很远，一般聚脂薄膜介质都具有吸附效应，它会降低电容器的工作频率，聚脂薄膜电容工作频率范围大约都在 1MHz 左右，超过 1MHz 其阻抗将显著增加。

因此，为抑制电子设备产生的传导干扰，除了选用 Y 电容和 X 电容之外，还要同时选用多个类型的电感滤波器，组合起来一起滤除干扰。

电感滤波器多属于低通滤波器，但电感滤波器也有很多规格类型，例如有：差模、共模，以及高频、低频等。每种电感主要都是针对某一小段频率的干扰信号滤除而起作用，对其它频率的干扰信号的滤除效果不大。

通常，电感量很大的电感，其线圈匝数较多，那么电感的分布电容也很大。高频干扰信号将通过分布电容旁路掉。而且，导磁率很高的磁芯，其工作频率则较低。

目前，大量使用的电感滤波器磁芯的工作频率大多数都在 75MHz 以下。对于工作频率要求比较高的场合，必须选用高频环形磁芯，高频环形磁芯导磁率一般都不高，但漏感特别小，比如，非晶合金磁芯，坡莫合金等。

钽电容和陶瓷电容在质量方面钽电容好点，因为钽电容的技术成熟点它主要是耐压、耐高温等特点，而陶瓷电容的特点就是比钽电容的薄体积小等优点，在技术方面就还欠佳，现在钽电容用的范围广，陶瓷电容用的也不少一般用在微型电子产品上，像手机，平板电脑上等等，如果想用陶瓷电容代替钽电容就要看用在什么产品上咯。

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电子元器件是元件和器件的总称。电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分 电子元器件
的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。电子器件：指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等），所以又称有源器件。按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。
编辑本段分类简介
概述
一、元件：工厂在加工产品是没有改变分子成分产品可称为元件，不需 电子元器件
要能源的器件。它包括：电阻、电容、电感器。(又可称为被动元件PassiveComponents) (1)电路类器件：二极管，电阻器等等 (2)连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB) 二、器件：工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件 器件分为： 1、主动器件，它的主要特点是：(1)自身消耗电能(2)还需要外界电源。 2、分立器件，分为（1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅 (4)半导体电阻电容
电阻
电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等
电容
电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件电容的特性主要是隔直流通交流 电子元器件
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关
晶体二极管
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管 作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大正 因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中电话机里使用的晶 体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等
电感器
电感器在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们在电路中同样重要。我们认为电感器和电容器一样，也是一种储能元件，它能把电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量。电感器用符号L 电子元器件
表示，它的基本单位是亨利（H），常用毫亨（mH）为单位。它经常和电容器一起工作，构成LC滤波器、LC振荡器等。另外，人们还利用电感的特性，制造了阻流圈、变压器、继电器等。
编辑本段组合电路
集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文为缩写为IC，也俗称芯片。 模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等元件组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘(除)法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试，模拟而得到，与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。 数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量，可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集成 电子元器件
MSI电路、大规模集成(LSI)电路、超大规模集成VLSI电路和特大规模集成ULSI)电路。小规模集成电路包含的门电路在10个以内，或元器件数不超过100个；中规模集成电路包含的门电路在10-100个之间，或元器件数在100-1000个之间；大规模集成电路包含的门电路在100个以上，或元器件数在10-10个之间；超大规模集成电路包含的门电路在1万个以上，或元器件数在10-10之间；特大规模集成电路的元器件数在10-10之间。它包括：基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP等。
编辑本段发展史
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。 电子元器件
第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。
编辑本段电子专用材料
电容器专用极板材料/导电材料 电极材料|光学材料/测温材料 半导体材料/屏蔽材料 真空电子材料/ 覆铜板材料 压电晶体材料/ 电工陶瓷材料 光电子功能材料|强电、 弱电用接点材料 激光工质|电子元器件专用薄膜材料 电子玻璃|类金刚石膜 膨胀合金与热双金属片|电热材料与电热元件 其它电子专用材料
编辑本段个别元器件件识别
电子元器件常用产品的识别 一、电阻 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆(Ω)，倍率单位有：千欧 (KΩ)，兆欧(MΩ)等。换算 方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧 电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω(即47K)；104则表示100K b、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻(精密电阻) 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示： 颜色有效数字倍率允许偏差(%) 银色/x001±10 金色/x01±5 黑色0+0/ 棕色1x10±1 红色2x100±2 橙色3x1000/ **4x10000/ 绿色5x100000±05 蓝色6x1000000±02 紫色7x10000000±01 灰色8x100000000/ 白色9x1000000000/ 二、电容 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。 其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000uF1P2=12PF1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=022uF3、电容容量误差表 符号FGJKLM 允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为01uF、误差为±5%。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常，把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下： 型号1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007 耐压(V)501002004006008001000 电流(A)均为1 四、稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下： 型号1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761 五、电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH(误差5%)的电感。电感的基本单位为：亨（H）换算单位有：1H=103mH=106uH。 六 、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高 频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管，的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差： (1)发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。 (2)变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。 七、晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 1、特点：晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下，名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路 输入阻抗中(几百欧～几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧～几十欧) 输出阻抗中(几千欧～几十千欧)小(几欧～几十欧)大(几十千欧～几百千欧) 电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大 电流放大倍数大(几十)大(几十)小(小于1并接近于1) 功率放大倍数大(约30～40分贝)小(约10分贝)中(约15～20分贝) 频率特性高频差好好 八、场效应晶体管放大器 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。两种型号的表示符号： 3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 1)电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。按分类标准，电子元件可分为11个大类。 2）电子器件：指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等)，所以又称有源器件。按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。 稳压值33V36V39V47V51V56V62V15V27V30V75V。
编辑本段光电子器件
光网中光电子器件的发展趋势 下一代光传送网的基本特征是超大容量，从目前各种复用技术的发展状况看，密集波分复用（DWDM）被认为是扩大网络容量和提高其灵活性的最有效途径。采用DWDM可以使容量迅速地扩大数十倍至数百倍。由于近年来市场驱动和技术突破的影响，波分复用系统发展极为迅速。因此各种新研制的光器件也都或多或少与波分复用有关。DWDM的发展思路一直是追求更高的频谱效率，一方面提高每个通道的速率，另一方面增加通道密度。在速率上，目前商用系统大多为25Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系统正在实用化，预计到2004年开始商业应用，一些电信公司如阿尔卡特的实验室已进行了160Gbit/s的传输实验。在通道密度方面，通道间的波长间隙已小到25GHz，还在向125GHz努力，使得商用系统的总通道数现为160~240个，实验室中最高达到1022个。为得到更大容量，有时不得不在上述两者之间折衷考虑，同时还要采取抑制光纤中色散、非线性效应的措施。所有这些要求都涉及到器件的高速、灵活和可靠的问题，而且最终还必须考虑低成本的问题，这使得目前新原理、新结构和新功能的器件不断涌现。 近年来随着"网络经济"泡沫的破灭，光通信产业的资本支出大为减少，作为光通信产业链最底端的光电子器件产业面临非常大的挑战。据估计，2002年美国通信用光电子器件的资本支出将在2001年锐减29％的基础上继续降低24％。另一方面，前期对市场盲目乐观的估计造成了大量光电子器件积压，据估计此状况将持续到2003年。在这种市场环境下，光电子器件的研究与发展的趋势主要表现在以下几方面： （1） 从光电子器件实现的功能来看，使光网络容量更大、更智能仍是光电子器件发展方向，但研究的侧重点有所改变。在系统传输容量方面，光电子器件的研究方向将注重降低传输系统的每公里每比特的成本，而不再一味追求单纤传输速率的突破。光纤传输容量的提高有三种方案：扩展光波段、增加光通道密度和提高通道速率。在器件级的研究上，拉曼光放大器与EDFA结合的宽带放大器被认为是系统扩展至L波段时最具应用潜力的光电子器件；波长锁定激光器、大功率包层泵浦EDFA和高密度的群组滤波器将是光通道间隔降低到50GHz、25GHz甚至125GHz的高光通道密度传输系统中的关键器件。40Gbit/s高速光调制器和接收器、动态色散补偿器和偏振模色散补偿器等光电子器件将是信道速率为40Gbit/s的系统中的关键器件。这些关键光电子器件的性能与价格将直接影响未来光传输系统的设计方案选取，但近期重点产品仍在10Gbit/s系列上，而25Gbit/s产品将呈逐步下降的走向。 （2） 小型化和集成化正成为光电子器件保持竞争力的一个新的趋势。随着光电子器件在光传输设备中的比例越来越大，对光电子器件的小型化要求日益显现。使设备能少占机房的面积和少消耗能源，能有效地降低网络的运行成本。光电子器件的小型化要求还促进了集成技术的发展。光电集成技术可以将光子元件与它的驱动电子芯片集成在一起。平面波导集成技术则可以将光开关、可调衰减器和波分复用/解复用器等无源器件集成在一起，在一块芯片实现子系统功能的系统与分立器件组成的系统相比，既大大减小了体积，还降低封装的成本。在小型化光器件的开发中，将激光器/探测器等光器件与微电子芯片组装成一体，形成具有多种功能模块的发展趋势正在明显加快。模块化能消除寄生参量的影响从而提高性能，并能节省后道组装的工序和成本。它还促进了相关产业界的合作和标准化，如一年前由多家企业就10Gbit/s 转发器的光、电和机械性能标准达成的协议，大大推动了这类器件性能价格比的提高。在功能上，前向纠错（FEC）、热插拔已普遍为高端产品所采纳。在尺寸上，与传统的插盘相比，用集成的转发器模块能使体积缩小到原来的1/10，功耗下降2/3而价格却只有原来的1/3。主要在城域网和接入网中使用的光收发一体模块也在由DUPLEX SC型向更小封装的SFF 模块发展。与DUPLEX SC封装相比，它在插盘上占的体积缩小了1/2。在光放大器方面，新的EDFA模块尺寸只有7cm′9cm′12cm (长′宽′高)，却能提供24dB的增益和15dBm的功率输出。模块化还进一步促进了微型封装激光器和无致冷激光器的进步。现在不仅是光信号源用激光器，功率型的泵浦激光器也取得了无致冷技术的突破。120mW以下980nm无致冷激光器已有商品提供，由于省掉致冷器，EDFA模块的功耗从45W减少到不足1W，体积也大大缩小。值得注意的是，近来掺铒波导光放大器（EDWA）也被集成于平面波导中，以克服平面波导器件插损大的缺点，从而使制造功能更新、更复杂的平面波导器件成为可能。 （3） 光电子器件组装的自动化技术将是降低光电子器件成本的关键。手工组装是限制光电子器件的成本进一步下降的主要因素。自动化组装可以降低人力成本、提高产量和节约生产场地，因此光电子器件组装的自动化技术的研究将是降低光电子器件成本的关键。由于光电子器件自动化组装的精度在亚微米量级，自动化组装生产一直被认为是很困难的事，但近来有很大突破。国外的学术期刊已多次报道在VCSEL、新型光学准直器件和自对准等技术进步基础上，光器件自动化组装实现的突破，同时专门针对自动化组装的光电子器件设计也正在兴起。2002年OFC展览会上有十多家自动封装、自动熔接设备厂商参展，熔接、对准、压焊等许多过去认为只能由人工操作的工艺现在都能由机械手进行。据ElectroniCast预测，到2005年自动化组装与测试设备的销量将达171亿美元，光电子器件产值中的70%~80％将由全自动或半自动化组装生产, 可以说自动化生产线的出现是光电子行业开始走向成熟的标志和发展的必然