氮化铝的化学式和其晶体类型,以及结构 请教氮化铝的晶体结构类型以及它的组成结构情况
品 名:氮化铝 拼音:danhualv 英文名称:alumin(i)um nitride 说明:AlN属类金刚石氮化物密度305,最高可稳定到2200℃室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望砷化镓表面的氮化铝涂层,能保护它在退火时免受离子的注入氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成,产物为白色到灰蓝色粉末或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成,产物为灰白色粉末涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成
一,导热性能不同,氮化铝陶瓷基板有更高的导热率
氮化硅陶瓷基板的导热率一般75-80W/(m·K),氮化铝陶瓷基板的导热率最高可以去掉170W/(m·K),可见氮化铝陶瓷基板有这 更高的导热性能。
二,机械强度不同,氮化硅陶瓷具有比氮化铝陶瓷更高的强度
机械强度这方面,氮化铝陶瓷基板比起氮化硅陶瓷基板更加容易碎。氮化铝陶瓷基板的机械折弯强度达450mpa,氮化硅陶瓷基板的折弯强度是800mpa,可见高强度高导热氮化硅陶瓷基板有这较好的弯曲强度,可以提高氮化硅陶瓷覆铜板强度和抗冲击能力,焊接更厚的无氧铜而不会产生瓷裂现象,提高了基板的可靠性。
三,应用范围不同,氮化硅陶瓷基板是可靠性模组封装的基板材料。
氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板在LED,半导体以及大功率光电领域方面广范应用,用于导热性能要求比较高的领域。氮化硅
陶瓷基板具有高强度、高导热、高可靠的特点,可用湿法刻蚀工艺在表面制作电路,经表面镀覆后制得的一种用于高可靠性电子基板模块封装的基板材料,是新型电动汽车用 1681 功率控制模块的首选基板材料。此外,陶瓷基板产业还涉及 LED、精细陶瓷制备、薄膜金属化、黄光微影、激光成型、电化学镀、光学模拟、微电子焊接等多领域技术,产品在功率型发射器、光伏器件,IGBT 模块,功率型晶闸管、谐振器基座、半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。