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国巨 yageo 对于村田、国巨、TDK、太阳诱电、华新、贴片电容散料包料统料收回情况

兴奋的小白菜
美好的树叶
2023-04-30 20:14:36

国巨 yageo 对于村田、国巨、TDK、太阳诱电、华新、贴片电容散料包料统料收回情况

最佳答案
火星上的宝贝
踏实的鲜花
2025-04-19 23:57:44

村田,国巨,太阳诱电,TDK,华新 而我是专业收这些贴片电容散料统料原包料《MBS1689》而(电化)连系方式:回 (153)收(027)贴片电容散料(18550)数字组合可以了解提高 (料的价值)大功率路灯电源专用中高压陶瓷贴片电容C4532X7R2A225KT-1812 100V 22UF+-10%C4532X7田MURATA 0805 0603 0201 1206 0402 等村田,国巨,太阳诱电,TDK,华新 而我是专业收这些散料统料原包料《MBS1689》贴片电容规格: 据 了解更多 村田MURATA在生产高端贴片电容是为了世界更好智能。而收这些散料统料《MBS1689》 是为了测试 其中功能 是否可以达到高值 价值等原因1:瓷介电容(CT),廉价,容量小,主要用于低频电路。2:涤纶电容(CL),特点用途同上。3:独石电容(CC),很贵,容量小,性质稳定。一般用于高频电路。4:电解电容(CD),容量大,有正负极之分。主要用于电源电路,脉动电路。5:云母电容(CY),耐压(250v-450v),容量小,很贵,体积大。用于通讯机重要部位。还有钽电容(CA),铌电容(CN),薄膜电容等等。2、容抗:电容对交流电呈现出的一各特殊的阻碍作用为容抗,频率与容抗成反比,频率越高容抗越小,因此电容具有通高频阴低频的特性。当频率一定时,容量与容抗成反比,容量越大容抗越小,容量越小容抗越大。当频率为0时,即直流电容容抗为无穷大。 四、 电容标称方法:电容的第一种标称方法为直标法: 如果标称为整数且无单位则读作“pF”;如标称为小数且无单位读作“uF”;如标称三位数且无单位,第一二位为有效数字“AB”,第三位为倍率“10C”;进口电容有“47uFD”,它就是“47uF”;电容标称“3R3”,“R”为小数点,表示“33pF”;标称为“047k、22J”,表示“047uF、22uF”,“k、J”是误 差值;第二种为色标法,与电阻的色标法相同。第三种特殊标称:“109J、219k、379k”等,带9的“10-1”。五、电容的特性:通高频,阻低频;通交流,阻直流 (参照容抗)六、电容的作用:滤波、耦合、储能1、滤波电容: 并接在电路正负极之间,利用电容通交隔直的特性,将电路中的交流电流滤除。有极性的电容通常是负极接地。2、耦合电容:连接于信号源和信号处理电路或两极放大器之间,用以隔断直流电,让交流或脉动信号通过,使相邻的放大器直流工作点互不景响。3、退耦电容:并接于电路正负极之间,可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。4、旁路电容:并接在电阻两端,为交直流信号中的交流设置一条能路,避免交流成分在通过电阻时产生压降。5、自举升压电容:利用礤储能来提升电路某点的电位,使其电位值高于为该点供电的电源电压。6、稳频电容:在振荡电路中用来稳定振荡频率。7、定时电容:在RC定时电路中与电阻R串联共同决定时间长短。8、软启动电容:通常接在电源开关管的基极,防止开机时加在开关管基极的浪涌电流或电压太大而损坏的开关管。七、电容的测量及好坏判断1、电容测量将万用表打到蜂鸣二极管档,把表笔放在两引脚上,应当看到数值在为断变大,当达到无穷大时,将两表笔反接,此时数值应当从负数迅速变为无穷大。这个过程是电容的充放电过程。 2、好坏判断电解电容损坏后外观上表现为鼓包、漏液、变形等。用万表测量没有放电过程或放电过程很短,跳变动做比较缓慢甚至不能跳变到无穷大,则表明电容漏液或性能不良;如果万用表读数一直为零,则表示电容短路。对于贴片电容,在主板上测量很难判断好坏,只能摘下来测量,测量时电容两站应为无穷大。容量:01PF - 100000000PF 1UF=1000NF=1000000PF 3位数的容量数值表示法:比如104最后一位的数字4代表前面两位数10后面有4个0,104=100000PF 470=47PF 225=2200000PF 107=100000000PF 体积:0201 0402 0603 0805 1206 1210 1812 2220 误差:±01PF(B档)±025PF(C档) ±05PF(D档) ±1%(F档) ±5%(J档) ±10%(K档) ±20%(M档) +80%-20%(Z档)B、C、D级误差适用于容量≤10pF的产品 材质:COG (NPO) X5R X7R Y5V Z5U 等等电压:4V 63V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V 1000V 2000V 3000V 5000V 品牌:TDK muRata村田 FH风华 SAMSUNG三星 YAGEO国巨 WALSIN华新 HEC禾伸堂 AVX&Kyocera京瓷 TAIYO太诱 CCT辰远 UTC等等 应用于LED恒流电源LED电源专用高电压和高容量陶瓷贴片电容:1206 102/222/332/472/103 1KV X7R(替代插件瓷片电容)1206 105 50V X7R(替代插件铝电解电容)1206 225 50V X7R(替代插件铝电解电容)1206 475 50V X7R(替代插件铝电解电容)1206 106 25V X7R(替代插件铝电解电容或钽电容)1206 106 50V X7R(替代插件铝电解电容或钽电容)1206 226 25V X5R(替代插件铝电解电容)1210 106 50V X7R (替代插件铝电解电容或钽电容) 1210 226 25V X5R (替代插件铝电解电容或钽电容)1812 104/224/334/474/564/684/824 450V(替代插件CBB电容阻容降压)1812 105 250V X7R(替代插件铝电解或CBB电容)1812 225 100V X7R(替代插件铝电解或CBB电容)2220 105/225 450V X7T(替代插件铝电解或CBB电容) 2220 475 250V X7T(替代插件铝电解或CBB电容)450V 104 X7T 1812封装 450V 224 X7T 1812封装450V 334 X7T 1812封装 450V 474 X7T 1812封装450V 564 X7T 1812封装450V 684 X7T 1812封装450V 824 X7T 1812封装 250V 105 X7R 1812封装 250V 475 X7T 2220封装450V 105 X7T 2220封装 450V 225 X7T 2220封装以上都为陶瓷X7T材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%LED电源EMI滤波专用高压贴片电容主要规格有1206 333630V1210 3331KV1206 473400V或450V或 630V-1210 104400V或500V或630V1210 224400V或450V以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%大功率路灯电源专用中高压陶瓷贴片电容C4532X7R2A225KT-1812 100V 22UF+-10%C4532X7R2E105KT-1812 250V 1UF+-10%以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB) 耐压;125度。1KV NP0 101 221 331 471 102。。1206尺寸3KV 100P NP0 1808/1812尺寸3KV 22I NP0 1808或1812尺寸3KV 471 NP0 1812尺寸2KV 821 NP0 1812尺寸2KV 102 NP0 1812尺寸100V 474 X7R 1206尺寸100V 684K X7R 1206尺寸HID安定器 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/50V 1210封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%网络交换机 常用中高压贴片电容 :500V 103 1206封装500V 123 1206封装500V 153 1206封装500V 223 1206封装500V 333 1206封装250V 124 1210封装100V 334 1210封装100V 222 1206封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于25%模块电源 常用大容量贴片电容和高压贴片电容100V 1U 1812封装100V 22U 1812封装50V 47U 1812封装25V 10U 1812封装25V 22U 1812封装10V 47U 1812封装63V 100U 1812封装50V 10U 2220封装2KV 102 1812封装2KV 332 1812封装2KV 103 1812封装630V 104 1812封装630V 224 2220封装250V 1U 2220封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于25%开关电源常用高压贴片电容和大容量贴片电容 :1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/16V 1206封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%LED阻容降压用高压贴片电容(代替插件CBB)110v电路专用250V 224 1812封装 250V 334 1812封装 250V 474 1812封装250V 684 1812封装250V 105 1812封装500V 224 1812封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积模块电源常用大容量贴片电容和高压贴片电容100V 1U 1812封装100V 22U 1812封装50V 47U 1812封装25V 10U 1812封装25V 22U 1812封装10V 47U 1812封装63V 100U 1812封装50V 10U 2220封装2KV 102 1812封装2KV 332 1812封装2KV 103 1812封装630V 104 1812封装630V 224 2220封装250V 1U 2220封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于25%可代替传统插件瓷片和钽电容以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样 开关电源 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/16V 1206封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~网络交换机常用高压贴片电容500V 103 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 123 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 153 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 223 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 333 1206封装网络交换机常用高压贴片电容250V 124 1210封装网络交换机常用高压贴片电容100V 334 1210封装网络交换机常用高压贴片电容100V 222 1206封装网络交换机常用高压贴片电容HID灯 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 221 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 102 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 222 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 472 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 103 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容630V 104 1812封装高压贴片电容和大容量贴片电容10U/25V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容10U/50V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用)规格主要有:LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容100v/22u 1812封装(大功率路灯专用LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容)102/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容222/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容472/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容103/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容22u/100V 1812封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容473/250V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容473/630V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容10u/16V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容10u/25V 1210封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容22u/10V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容22U/16V 1210封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容节能灯高压陶瓷贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积(节能灯专用)规格主要有:223/100V 1206封装102/1KV 1206封装152/1KV 1206封装332/1KV 1206封装222/1KV 1206封装250V/473 1206封装400V/104 1210封装1206 100V 104K1206 1KV 103K1206 1KV 472K1206 1KV 222K1206 1KV 332K1206 250V 104K1206 250V 473K1206 50V 106K1206 50V 475K1812 100V 225K1210 100V 225K1812 630V 104K1812 250V 474K1210 500V 104K漏电的贴片电容会比周围的电容颜色略深一些;电容坏会引起计算机进入系统蓝屏、死机、运行大程序死机,漏电会引起计算机重启R2E105KT-1812 250V 1UF+-10%以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB) 耐压;125度。七、电容的测量及好坏判断100V 1U 1812封装100V 22U 1812封装50V 47U 1812封装25V 10U 1812封装25V 22U 1812封装10V 47U 1812封装63V 100U 1812封装50V 10U 2220封装2KV 102 1812封装2KV 332 1812封装2KV 103 1812封装630V 104 1812封装630V 224 2220封装250V 1U 2220封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于25%可代替传统插件瓷片和钽电容以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样 开关电源 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/16V 1206封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~网络交换机常用高压贴片电容500V 103 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 123 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 153 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 223 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 333 1206封装网络交换机常用高压贴片电容250V 124 1210封装网络交换机常用高压贴片电容100V 334 1210封装网络交换机常用高压贴片电容100V 222 1206封装网络交换机常用高压贴片电容HID灯 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 221 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 102 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 222 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 472 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 103 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容630V 104 1812封装高压贴片电容和大容量贴片电容10U/25V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容10U/50V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。损耗(DF)小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用)漏电的贴片电容会比周围的电容颜色略深一些;电容坏会引起计算机进入系统蓝屏、死机、运行大程序死机,漏电会引起计算机重启1、电容测量将万用表打到蜂鸣二极管档,把表笔放在两引脚上,应当看到数值在为断变大,当达到无穷大时,将两表笔反接,此时数值应当从负数迅速变为无穷大。这个过程是电容的充放电过程。 2、好坏判断电解电容损坏后外观上表现为鼓包、漏液、变形等。用万表测量没有放电过程或放电过程很短,跳变动做比较缓慢甚至不能跳变到无穷大,则表明电容漏液或性能不良;如果万用表读数一直为零,则表示电容短路。对于贴片电容,在主板上测量很难判断好坏,只能摘下来测量,测量时电容两站应为无穷大。漏电的贴片电容会比周围的电容颜色略深一些;电容坏会引起计算机进入系统蓝屏、死机、运行大程序死机,漏电会引起计算机重启六、电容的代换原则1、正负极不能接反。2、耐压值要大于或等于原值。3、容量可比原值相差+/-20%。4、贴片电容只要颜色大小一样就可以代换。5、晶振两引脚上的稳频电容要原值(原位置)代换(可找另一块主板上的相同位置的电容代换)。 这是我随便转载百度一篇文章,网上这种东西太多了。电容的第一种标称方法为直标法: 如果标称为整数且无单位则读作“pF”;如标称为小数且无单位读作“uF”;如标称三位数且无单位,第一二位为有效数字“AB”,第三位为倍率“10C”;进口电容有“47uFD”,它就是“47uF”;电容标称“3R3”,“R”为小数点,表示“33pF”;标称为“047k、22J”,表示“047uF、22uF”,“k、J”是误 差值;第二种为色标法,与电阻的色标法相同。第三种特殊标称:“109J、219k、379k”等,带9的“10-1”。五、电容的特性:通高频,阻低频;通交流,阻直流 (参照容抗)六、电容的作用:滤波、耦合、储能1、滤波电容: 并接在电路正负极之间,利用电容通交隔直的特性,将电路中的交流电流滤除。有极性的电容通常是负极接地。2、耦合电容:连接于信号源和信号处理电路或两极放大器之间,用以隔断直流电,让交流或脉动信号通过,使相邻的放大器直流工作点互不景响。3、退耦电容:并接于电路正负极之间,可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。4、旁路电容:并接在电阻两端,为交直流信号中的交流设置一条能路,避免交流成分在通过电阻时产生压降。5、自举升压电容:利用礤储能来提升电路某点的电位,使其电位值高于为该点供电的电源电压。6、稳频电容:在振荡电路中用来稳定振荡频率。7、定时电容:在RC定时电路中与电阻R串联共同决定时间长短。8、软启动电容:通常接在电源开关管的基极,防止开机时加在开关管基极的浪涌电据 了解更多 村田MURATA在生产高端贴片电容是为了世界更好智能。而收这些散料统料《MBS1689》 是为了测试 其中功能 是否可以达到高值 价值等原因1:瓷介电容(CT),廉价,容量小,主要用于低频电路。2:涤纶电容(CL),特点用途同上。3:独石电容(CC),很贵,容量小,性质稳定。一般用于高频电路。4:电解电容(CD),容量大,有正负极之分。主要用于电源电路,脉动电路。5:云母电容(CY),耐压(250v-450v),容量小,很贵,体积大。用于通讯机重要部位。还有钽电容(CA),铌电容(CN),薄膜电容等等。2、容抗:电容对交流电呈现出的一各特殊的阻碍作用为容抗,频率与容抗成反比,频率越高容抗越小,因此电容具有通高频阴低频的特性。当频率一定时,容量与容抗成反比,容量越大容抗越小,容量越小容抗越大。当频率为0时,即直流电容容抗为无穷大。 四、 电容标称方法:电容的第一种标称方法为直标法: 如果标称为整数且无单位则读作“pF”;如标称为小数且无单位读作“uF”;如标称三位数且无单位,第一二位为有效数字“AB”,第三位为倍率“10C”;进口电容有“47uFD”,它就是“47uF”;电容标称“3R3”,“R”为小数点,表示“33pF”;标称为“047k、22J”,表示“047uF、22uF”,“k、J”是误 差值;第二种为色标法,与电阻的色标法相同。第三种特殊标称:“109J、219k、379k”等,带9的“10-1”。五、电容的特性:通高频,阻低频;通交流,阻直流 (参照容抗)六、电容的作用:滤波、耦合、储能1、滤波电容: 并接在电路正负极之间,利用电容通交隔直的特性,将电路中的交流电流滤除。有极性的电容通常是负极接地。2、耦合电容:连接于信号源和信号处理电路或两极放大器之间,用以隔断直流电,让交流或脉动信号通过,使相邻的放大器直流工作点互不景响。

最新回答
帅气的板凳
美满的人生
2025-04-19 23:57:44

瓷介电容器的介质是陶瓷,在电路中用于傍路、隔直流、滤波、振荡、耦合、温度补偿等。
根据陶瓷成分不同可分为Ⅰ型(高频)和Ⅱ型(低频)。
高频瓷介电容器如CC11、CC1、CC2、CC10等;
低频瓷介电容器如CT1、CT2等。
在国内老的瓷介电容器标准中有X、Y的分类,如CCX—×(小型瓷介电容器)、CCY—×(高压瓷介电容器)。

愤怒的秋天
高贵的雪糕
2025-04-19 23:57:44
多层陶瓷电容器(MLCC)
MLCC一般为20~30层,由钛酸钡、钛酸铅及铅、钛、镁、铋等金属的氧化物及银、钯内电极浆料和端电极组成,一般金属含量小于8%。我国贵金属矿产资源品位低、储量少,每年都需要耗用大量外汇进口贵金属原料,以满足国民经济建设的需要。从各种贵金属废料中回收贵金属日益受到人们的关注,因而从上述MLCC废料中回收银、钯具有重要意义。
目前从一般电子废料中回收银、钯的方法主要有高温熔炼法和化学法。
高温熔炼法是把含贵金属的电子废料加入电炉中高温熔炼,金、银及铂族金属富集在捕集金属(如铜、铅)中,再用传统的方法从捕集金属中回收贵金属。
化学法是用酸或氰化物溶液溶解陶瓷废料中的银、钯,用置换、萃取或离子交换法从溶液中富集银、钯。例如:用硝酸溶解-磷酸二氢纳还原法;用王水溶解-阴离子交换吸附法;用硝酸溶解-N235萃取法。但是MLCC废料不同于一般电子废料,在国内尚未见类似的文献报道。
1、MLCC废料硝酸浸出
MLCC废料部分已经高温焙烧过,未经过焙烧的生料必须在1000℃高温焙烧使其中的有机物挥发。钯在560℃被氧化,至820℃后氧化钯又分解,因此MLCC废料中钯呈金属状态。用硝酸浸出银、钯时反应如下:
3Pd+8HNO3=3Pd(NO3)2+2NO↑+4H2O
3Ag+4HNO3=3AgNO3+NO↑+2H2O
MO+2HNO3=M(NO3)2+H2O(M=Ba、Pb、Mg等)
2、银的熔炼
加入碳酸钠还原熔炼氧化银反应如下:
2AgCl+Na2CO3=Ag2CO3+2NaCl
Ag2CO3=Ag2O+CO2↑
2Ag2O=4Ag+O2↑
3、丁基黄药沉淀钯
丁基黄药是钯的选择性沉淀剂,用黄药从浸出渣洗水沉钯反应如下:
Pd(NO3)2+2ROCSSNa=(ROCSS)2Pd+2NaNO3
M(NO3)2+2ROCSSNa=(ROCSS)2M+2NaNO3(M=Ba、Pb、Mg等)
(ROCSS)2M+Pd(NO3)2=(ROCSS)2Pd+
M(NO3)2

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