高压瓷片电容存电吗

从以下几点进行分析一：瓷片电容在电场作用下的击穿破坏遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点破坏的根源
除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节
环氧包封的瓷片电容由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结
在电场作用下，组成高压瓷片电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变
当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平
二：介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等
空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加
该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低
三：包封层环氧材料因素：一般包封层厚度越厚，包封层破坏所需的外力越高
在同样电场力和残余应力的作用下，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生气隙较为困难
另外固化温度的影响，随着固化温度的提高，高压瓷片电容的击穿电压会越高，因为高温固化时可以较快并有效地减少残余应力
随着整体模块灌胶后固化的高温持续，当达到或超过陶瓷电容器外包封层环氧树脂的玻璃转化温度，达到了粘流态，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生了气隙，此时的形变就很难恢复，这种气隙会降低陶瓷电容的耐压水平
四：机械应力裂纹：陶瓷体本身属于脆性较高的材料，在产生和流转过程中较大的应力可能造成应力裂纹，导致耐压降低
常见的应力源有：工艺过程电路板流转操作；流转过程中的人、设备、重力等因素；元件接插操作；电路测试；单板分割；电路板安装；电路板定位铆接；螺丝安装等
导致瓷片电容失效结论一：直接原因：陶瓷-环氧界面存在间隙，导致其耐压水平降低
二：间接原因：二次包封模块固化过程中产生了环氧材料应力收缩，致使陶瓷-环氧界面劣化，形成了弱点放电的路径
三：二次包封模块固化后，样品放置时间过短，其内部界面应力未完全释放出来，在陶瓷-环氧界面存在微裂纹，导致耐压水平降低

电容器的型号命名方法
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分
名称 | 材料 | 特征 | 序号
电容器 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号
C 高频瓷 T 铁电
T 低频瓷 W 微调
I 玻璃 J 金属化
符号 Y 釉云母 X 小型
C Z 纸介 D 电压 用字母或数字
J 金属化 M 密封
L 纸涤纶 Y 高压
D 铝电解 C 穿心式
A 钽电解 S 独石
编辑本段电容功能分类介绍
名称：聚酯（涤纶）电容（CL）
符号：
电容量：40p--4μ
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
名称：聚苯乙烯电容（CB）
符号：
电容量：10p--1μ
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
名称：聚丙烯电容（CBB）
符号：
电容量：1000p--10μ
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
名称：云母电容（CY）
符号：
电容量：10p--0。1μ
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
名称：高频瓷介电容（CC）
符号：
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
名称：低频瓷介电容（CT）
符号：
电容量：10p--4。7μ
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
名称：玻璃釉电容（CI）
符号：
电容量：10p--0。1μ
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
名称：铝电解电容
符号：
电容量：0。47--10000μ
额定电压：6。3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）
符号：
电容量：0。1--1000μ
额定电压：6。3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
名称：空气介质可变电容器
符号：
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
名称：薄膜介质可变电容器
符号：
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
名称：薄膜介质微调电容器
符号：
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
名称：陶瓷介质微调电容器
符号：
可变电容量：0。3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
名称：独石电容
容量范围：05PF--1ΜF
耐压：二倍额定电压。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了
就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小
就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵云母电容Q值较高,也稍贵
里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。
电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。
电容分类：
1．电解电容
2．固态电容
3．陶瓷电容
4．钽电解电容
5云母电容
6玻璃釉电容
7聚苯乙烯电容
8玻璃膜电容
9合金电解电容
10绦纶电容
11聚丙烯电容
12泥电解
13有极性有机薄膜电容
14铝电解电容

瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器。
瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高，2KV、3KV电压很常见。
常用于高压场合。
陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，
I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；
II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；
III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。
瓷片电容器一般体积不大。
另外，再强调一个重要特点：
瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）
而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。

安规电容，不能替换！
安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全 它包括了X电容和Y电容。 x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。　
根据IEC 60384-14，电容器分为X电容及Y电容， 1 X电容是指跨于L-N之间的电容器， 2 Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。 (L=Line, N=Neutral, G=Ground)
X电容底下又分为X1, X2, X3，主要差别在于: （按脉冲电压分）
1 X1耐高压大于25 kV, 小于等于4 kV,
2 X2耐高压小于等于25 kV,
3 X3耐高压小于等于12 kV
Y电容底下又分为Y1, Y2, Y3，Y4, 主要差别在于: （按绝缘等级来分）
1 Y1耐高压大于8 kV,
2 Y2耐高压大于5 kV,
3 Y3耐高压 n/a 4 Y4耐高压大于25 kV
GJB151规定Y电容的容量应不大于01uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义

这种锯齿线，仅仅在显像管的电子枪部分的PCB板，几个高压电极有这种设计，是为解决高压放电的，雷电的放电间隙很少用到，包括电话电路一般用专门的放电管作为保护。显像管的电子枪部分的几个高压电极的间隙都是比较小的。雷电的放电间隙一般也是比较小的，你图中上面的间隙看不出有多大？（没有参照物，也没标出尺寸）好像比较大，如果间隙不大，作为放电间隙，还说的通，间隙过大就不好解释了。有可能是针对高频高压，因为高速、高频相对击穿更加容易，间隙大些也会击穿。这种锯齿线效果如何很少有比较详细的介绍和使用。