瓷片电容3A332是多少

E332M是瓷片电容。一般超过8KV的我们都称之为超高压瓷片电容或者是陶瓷电容，1KV到8KV的陶瓷电容称为高压陶瓷电容。这些超高压陶瓷电容被广泛应用于X-RAY医疗电源、电焊机、等高压电源产品里。

只能用1KV以上的332代替，或者用耐压不低于1KV的其他容值的电容通过串或并的方法，让容值接近3300pf。耐压只能高不能低。容值只能相等或接近，不能过高或过低。否则只会让系统工作状况严重恶劣，甚至引起其他元件损坏。

建议你用682代替的，应该是瞎扯。虽然不知道你说的这个电容用在什么地方，但容值相差一倍多，系统工况肯定是不好的。

你好：

——★1、瓷片电容器的容量较小，都是以 PF 为单位的，最后的数字，为 0 的个数。

——★2、“221K2KV”  中，221 代表容量：22 后面加 1 个 0 ，即 220 P 。

——★3、“332J1600V”  ，332 就是容量：33 后面加 2 个 0 ，为 3300 P 。

332表示3.3nF

104表示100nF

102表示1nF

50表示50pF

三位数字的电容器，前两位数字是系数，最后一位数字是10的指数。例如332就是33×10²pF。

3300pF 告诉你电容的读数 最后一位是科学记数法 你用前两位乘以最后一位的科学记数法 就行例如 332 最后一位是2，那就是10的2次方 ，100. 然后用33*100=3300PF

电容上一般用三位数字表示电容大小前面2个是有效数字后面一位是0的个数

例如：332就表示3300PF电容 223就是22000PF电容

额定电压用一数字一字母表示2E=2.5*100=250V

前面数字表示10的几次方1=10 2=100 3=1000

常用字母有A 1.0 B1.25 C1.6 D2.0 E2.5 F3 G4 H5 J6.3 K8

例如1A=1.0*10=10V1C=1.6*10=16V 1E=2.5*10=25V 1H=5.0*10=50V

最后一个字母表示的是精度一般有字母：B+/-0.1PF C+/-0.25PF D+/-0.5PF

F+/-1PF J+/-5% K+/-10% M+/-20% Z+80%/-20% P+100%/-0%

够详细了吧。记得给我好评加分啊！

瓷片电容/50是指瓷片电容最大工作电压50，电容容量为pF或者10nF（就是10*10的三次方pF,就是pF,pF=1nF,所以容量就是10nF）。电容是由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成的。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同 按结构分：固定电容，可变电容，微调电容； 介质材料分：按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。 电容作用：电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及调谐等。硬之城上面应该有这个型号，可以去看看有没有教程之类的，不行的话就请教下客服最直接了一对一解决问题。

那叫 瓷片电容

定义

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

分类

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优缺点

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

作用

MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用于高频电路中.

MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。

电容标号以下是表示方法：

瓷片电容： 多数在1μF以下，

①直接用数字表示。如： 10、22、0.047、0.1 等等， 这里要注意的是单位。凡用整数表示的， 单位默认pF； 凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中， 分别是10P、22P、0.047μF、220μF 等。

　②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（ 单位默认pF） ：

前两个数字表示有效读数，第三个数字表示后面追加的“0”的个数。

如： “ 473”（即47加三个0）=47000pF=0.047μF ，

“ 103”即（10+000）pF=10000PF=0.01μF等等， 这种表示法已经相当普遍。